Fluence Dependence of the Formation of Open-Volume Defects in Silicon After Ion Implantation

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编辑:

Y. C. Jean, Morten Eldrup, David M. Schrader, Roy N. West

页数:

472-474

引用:

S. Eichler et al., "Fluence Dependence of the Formation of Open-Volume Defects in Silicon After Ion Implantation", Materials Science Forum, Vols. 255-257, pp. 472-474, 1997

上线时间:

September 1997

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