CVD Growth and Characterisation of SiC Epitaxial Layers on Faces Perpendicular to the (0001) Basal Plane

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G. Pensl, H. Morkoç, B. Monemar and E. Janzén

页数:

123-126

引用:

C. Hallin et al., "CVD Growth and Characterisation of SiC Epitaxial Layers on Faces Perpendicular to the (0001) Basal Plane", Materials Science Forum, Vols. 264-268, pp. 123-126, 1998

上线时间:

February 1998

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