Dry Etching and Metallization Schemes in a GaN/SiC Heterojunction Device Process

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Calvin H. Carter, Jr., Robert P. Devaty, and Gregory S. Rohrer

页数:

1049-1052

引用:

E. Danielsson et al., "Dry Etching and Metallization Schemes in a GaN/SiC Heterojunction Device Process", Materials Science Forum, Vols. 338-342, pp. 1049-1052, 2000

上线时间:

May 2000

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