2600 V, 12 A, 4H-SiC, Asymmetrical Gate Turn Off (GTO) Thyristor Development

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Calvin H. Carter, Jr., Robert P. Devaty, and Gregory S. Rohrer

页数:

1387-1390

引用:

A. K. Agarwal et al., "2600 V, 12 A, 4H-SiC, Asymmetrical Gate Turn Off (GTO) Thyristor Development", Materials Science Forum, Vols. 338-342, pp. 1387-1390, 2000

上线时间:

May 2000

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