On Shallow Interface States in n-Type 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures

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S. Yoshida, S. Nishino, H. Harima and T. Kimoto

页数:

1005-1008

引用:

H.Ö. Ólafsson et al., "On Shallow Interface States in n-Type 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures", Materials Science Forum, Vols. 389-393, pp. 1005-1008, 2002

上线时间:

April 2002

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